FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：40V

漏源电压（Vdss）：40V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：25mA @ 20V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2V @ 1nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14pF @ 20V

电阻 - RDS（开）：60 Ohms

功率 - 最大值：350mW

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs